碳化硅（SiC）肖特基二極管
碳化硅器件是由第三代半導(dǎo)體材料SiC制成的寬禁帶器件，具有較高的擊穿電壓，較低的導(dǎo)通阻抗。銀河微電推出650V和1200V碳化硅肖特基二極管，為工程師設(shè)計各種應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換 電路提供了理想的解決方案。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
1. 具有比硅更優(yōu)異的開關(guān)特性和更高的可靠性。
2. 低傳導(dǎo)損耗，獨(dú)立于溫度的零反向恢復(fù) 。
3. Tj高達(dá)175°C，高浪涌電流能力 。
應(yīng)用范圍：
5G基建，新能源汽車充電樁及軌道交通等
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