2023年11月3日上午，在上海聚源聚芯集成電路產(chǎn)業(yè)股權投資基金中心的見證下，我公司與晶通半導體（深圳）有限公司在常州舉行了GaN項目戰(zhàn)略合作簽約儀式。常州銀河世紀微電子股份有限公司董事長楊森茂、總經(jīng)理劉軍及晶通半導體（深圳）有限公司總經(jīng)理劉丹等人員出席簽約儀式。
雙方一致認為：氮化鎵與碳化硅是第三代半導體的兩大“門面”，這二者具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優(yōu)越性能。如今，我國氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化日趨完善，多家國內(nèi)企業(yè)已擁有氮化鎵晶圓制造能力。隨著下游新應用規(guī)模爆發(fā)，以及氮化鎵襯底制備技術不斷取得突破，氮化鎵器件有望持續(xù)放量，將成為降本增效、可持續(xù)綠色發(fā)展的關鍵技術之一。
銀河微電致力于成為半導體分立器件行業(yè)的領先企業(yè)，公司近來發(fā)展重點為第三代半導體功率器件，擁有豐富的客戶資源。本次與晶通的合作可以加快氮化鎵產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展進程，相信通過雙方的戰(zhàn)略合作，能夠很快將氮化鎵器件推向市場。
在簽約儀式結束后，雙方公司領導合影留念。
