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常州銀河世紀微電子股份有限公司和晶通半導體(深圳)有限公司 舉行GaN項目戰(zhàn)略合作簽約儀式

         2023年11月3日上午,在上海聚源聚芯集成電路產(chǎn)業(yè)股權投資基金中心的見證下,我公司與晶通半導體(深圳)有限公司在常州舉行了GaN項目戰(zhàn)略合作簽約儀式。常州銀河世紀微電子股份有限公司董事長楊森茂、總經(jīng)理劉軍及晶通半導體(深圳)有限公司總經(jīng)理劉丹等人員出席簽約儀式。
        雙方一致認為:氮化鎵與碳化硅是第三代半導體的兩大“門面”,這二者具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優(yōu)越性能。如今,我國氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化日趨完善,多家國內(nèi)企業(yè)已擁有氮化鎵晶圓制造能力。隨著下游新應用規(guī)模爆發(fā),以及氮化鎵襯底制備技術不斷取得突破,氮化鎵器件有望持續(xù)放量,將成為降本增效、可持續(xù)綠色發(fā)展的關鍵技術之一。
       銀河微電致力于成為半導體分立器件行業(yè)的領先企業(yè),公司近來發(fā)展重點為第三代半導體功率器件,擁有豐富的客戶資源。本次與晶通的合作可以加快氮化鎵產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展進程,相信通過雙方的戰(zhàn)略合作,能夠很快將氮化鎵器件推向市場。
        在簽約儀式結束后,雙方公司領導合影留念。

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